TİTANYUM KAPLAMA
Yeniliğe açık, gelişen teknolojileri yakından takip eden firmamız 2017 yılında Titanyum kaplama sektörüne ilk adımı attı. 3 adet son teknoloji Titanyum makinesi ile 300cm boyunda ve 190cm çapında ürün kaplama kapasitesine sahibiz . 2019 yılında 4. kaplama makinemizi ve yeni ultrasonik temizleme hattımızı bünyemize kattık. ARK Kaplama teknolojili ve Magnetron Kaplama teknolojili makinelerimizde hizmetinizdeyiz.
TİTANYUM KAPLAMA NEDİR?
Türkçe adiyla Fiziksel Buhar Biriktirme (FBB), katı bir kaynağın vakum altında atomizasyonu veya buharlaştırılması ve bu maddenin kaplama oluşturmak için altlık üzerine biriktirilmesi prosesidir. Kaplanacak olan vakum odasındaki parçalar önce ısıtılır ve daha sonra argon iyonları ile bombardıman ile iyonlanır, böylece herhangi bir atomik kirlenmeden arındırılmış saf ve temiz bir metal yüzey yaratılır. Sert metal ve yüksek jız çeliklerin özelliklerini etkilemeden düşük sıcaklıklarda kaplama yapılabilir. Alışılagelmiş kaplama tekniklerinden daha sağlıklı ve dayanıklıdır.
PVD Tekniği İle Yapılan Kaplamaların Özellikleri
* Cilalı bir yüzeye uygulandığında temiz, parlak görünüm
* Mat bir yüzeye uygulandığında düzgün, mat görünüm
* Kompleks geometrik parçaların döner mekanizmalarla homojen özelliklerde kaplanabilir.
* Tıbbi cihazlar, seyretme parçaları, mikro aletler gibi küçük, karmaşık parçalar için uygundur.
* Kaplamanın inceliği nedeniyle((1-5 µM)boyut değişiklikleri minimumdur
* Tuz ve diğer aşındırıcı maddelerin neden olduğu hasara karşı dayanıklıdır.
* Çizilmeye karşı dayanıklı, uzun ömürlü, sert bir dış cephe sunar. Köşelerin ve keskin uçların keskinligini bozmaz.
* Titanyum kaplamanın uygulanması süreci tamamen çevre dostudur.
* Isıl işlem görmüş takım çeliklerinin 180-1600 C arasında kaplanabilir ve parçalarda sertlik kaybı olmaz
* Kaplanan tabakalarda çok yüksek tutunma kuvvetlerinin oluşur ve yüzeyden dökülmez
* Sık dokulu kristal tabaka yapısı vardir.
* Takımlar ve kalıplar bilendikten sonra tekrar kaplanabilir.
* Kaplamalar sökülerek tekrar kaplama yapılabilir.